半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2025年度開(kāi)放課題征集指南
半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室定位在極限尺度半導(dǎo)體器件的物理源頭進(jìn)行理論創(chuàng)新，構(gòu)建突破后摩爾時(shí)代半導(dǎo)體芯片的物理與技術(shù)瓶頸，搶占半導(dǎo)體科技制高點(diǎn)，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供源頭和底層創(chuàng)新支撐。為促進(jìn)半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，吸引并鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)外優(yōu)秀人才依托本實(shí)驗(yàn)室開(kāi)展前沿性和創(chuàng)新性的合作研究。實(shí)驗(yàn)室設(shè)立開(kāi)放課題基金，歡迎和邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究領(lǐng)域的學(xué)者申請(qǐng)開(kāi)放課題資助。
一、資助研究方向
1.極限尺度晶體管中物理問(wèn)題
2.硅基高性能微電子器件開(kāi)發(fā)
3.新材料新架構(gòu)集成芯片及關(guān)鍵技術(shù)
二、申請(qǐng)條件
1.?申請(qǐng)人為國(guó)內(nèi)外高校、企業(yè)或科研院所等相關(guān)領(lǐng)域科研人員，具有博士學(xué)位的中級(jí)及以上職稱人員，優(yōu)先支持青年科技工作者。
2.?申請(qǐng)人須與實(shí)驗(yàn)室固定人員共同申請(qǐng)，申請(qǐng)人擔(dān)任開(kāi)放課題第一負(fù)責(zé)，半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室固定研究人員擔(dān)任開(kāi)放課題第二負(fù)責(zé)人（每人限報(bào)一項(xiàng)）。
3.?課題應(yīng)具有創(chuàng)新性和探索性，學(xué)術(shù)思想新穎，目標(biāo)明確，研究方案切實(shí)可行。
三、申請(qǐng)程序
1.申請(qǐng)指南/通知下達(dá)后，開(kāi)始受理申請(qǐng)。申請(qǐng)人需認(rèn)真閱讀對(duì)外開(kāi)放課題管理辦法，編制開(kāi)放課題申請(qǐng)書(shū)，請(qǐng)將申請(qǐng)書(shū)電子版與開(kāi)放基金項(xiàng)目信息表發(fā)送至指定郵箱（wenhongyu@semi.ac.cn），申請(qǐng)書(shū)和郵件命名方式為：研究方向+申請(qǐng)人姓名+承擔(dān)單位+合作人姓名，截止日期為2025年12月31日。
2.申請(qǐng)書(shū)需提交PDF版和Word版申請(qǐng)書(shū)各一份，PDF版要求：彩色掃描已簽字蓋章的申請(qǐng)書(shū)；Word版要求：應(yīng)可編輯可復(fù)制，無(wú)簽字和蓋章。
3.實(shí)驗(yàn)室組織專家給出評(píng)審意見(jiàn)，按照“公平、擇優(yōu)”原則審查確定是否資助以及資助經(jīng)費(fèi)。課題獲批后，申請(qǐng)人將紙版申請(qǐng)書(shū)（加蓋所在單位公章）一式4份郵寄至中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。
四、執(zhí)行與管理
1.課題實(shí)施周期原則上為2年，項(xiàng)目執(zhí)行期為2025年12月至2027年11月。
2.開(kāi)放課題負(fù)責(zé)人須按規(guī)定提交年度報(bào)告和結(jié)題報(bào)告，匯報(bào)開(kāi)放課題進(jìn)展成果及經(jīng)費(fèi)使用情況。
3.開(kāi)放課題因故中斷，無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行的，或無(wú)正當(dāng)理由未能按期結(jié)題的，實(shí)驗(yàn)室將停止或取消經(jīng)費(fèi)支持。
4.課題執(zhí)行期間，申請(qǐng)人或團(tuán)隊(duì)成員須以客座研究人員的身份來(lái)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)展訪問(wèn)、交流、實(shí)驗(yàn)等工作，每年原則上不少于一周時(shí)間（時(shí)長(zhǎng)可累計(jì)疊加）。執(zhí)行期內(nèi)，須來(lái)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)展至少一次學(xué)術(shù)講座。
五、經(jīng)費(fèi)及使用
1.一般課題擬平均資助額度為5萬(wàn)元/項(xiàng)，重點(diǎn)課題擬平均資助額度為10萬(wàn)元/項(xiàng)。2025年度，設(shè)立重點(diǎn)資助課題2-5項(xiàng)，一般資助課題4-10項(xiàng)，評(píng)審后擇優(yōu)立項(xiàng)。
2.開(kāi)放課題使用經(jīng)費(fèi)在實(shí)驗(yàn)室依托單位中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所財(cái)務(wù)與資產(chǎn)處報(bào)銷。
3.報(bào)銷須符合中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所財(cái)務(wù)管理規(guī)定，支付課題研究直接費(fèi)用中的業(yè)務(wù)費(fèi)，包括材料費(fèi)、測(cè)試化驗(yàn)加工費(fèi)、版面費(fèi)(需第一致謝為本開(kāi)放課題）、差旅費(fèi)（限課題組成員單位所在地往返北京的費(fèi)用）等，單筆單次的費(fèi)用支出不得超過(guò)2萬(wàn)元。報(bào)銷手續(xù)由課題第二負(fù)責(zé)人協(xié)助辦理。
六、成果管理
1.資助項(xiàng)目獲得的成果（論著、專利、標(biāo)準(zhǔn)、獲獎(jiǎng)等），須在致謝部分標(biāo)注“中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放基金資助（編號(hào)：xxx）”，英文標(biāo)注“supported by State Key Laboratory of Semiconductor Physics and Chip Technologies, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences,?(Grant No. xxx)?”。
2.為加強(qiáng)申請(qǐng)人與實(shí)驗(yàn)室第二負(fù)責(zé)人的深度合作，課題研究成果中要求至少一篇論文的共同一作或共同通訊為實(shí)驗(yàn)室第二負(fù)責(zé)人。
3、課題到期后三個(gè)月內(nèi)，須向?qū)嶒?yàn)室提交《開(kāi)放課題結(jié)題報(bào)告》、研究成果目錄清單和相應(yīng)復(fù)印件、經(jīng)費(fèi)執(zhí)行明細(xì)表，接受實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)收評(píng)估。
附件2-開(kāi)放基金課題管理辦法--半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室.pdf
附件3.開(kāi)放基金課題申請(qǐng)書(shū)-半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室.doc
附件4.開(kāi)放基金項(xiàng)目信息表.xlsx
