沉痛悼念吳德馨院士
中國共產(chǎn)黨黨員，中國科學(xué)院院士，我國杰出的微電子科學(xué)家，中國科學(xué)院微電子研究所研究員，原中國科學(xué)院微電子中心主任，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所初創(chuàng)與發(fā)展期的重要開拓者，第九屆、第十屆全國人民代表大會常務(wù)委員會委員吳德馨同志，因病醫(yī)治無效，于2026年3月23日13時15分在北京逝世，享年90歲。
附：吳德馨院士生平
吳德馨院士生平
吳德馨同志1936年12月生于河北樂亭，1979年6月加入中國共產(chǎn)黨，1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無線電電子工程系，成為清華大學(xué)第一批半導(dǎo)體專業(yè)畢業(yè)生。畢業(yè)后被分配至中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作，1986年調(diào)入中國科學(xué)院微電子中心（現(xiàn)中國科學(xué)院微電子研究所）工作至今，歷任助理研究員、研究員、中心副主任、主任，1991年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士（學(xué)部委員）。先后榮獲國家科技進(jìn)步二等獎、北京市科學(xué)技術(shù)一等獎、中國科學(xué)院科技進(jìn)步一等獎、何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎等多個重要獎項(xiàng)。
吳德馨同志是我國半導(dǎo)體與集成電路研究的開拓者之一，為國家微電子事業(yè)發(fā)展做出了卓越貢獻(xiàn)。1961—1986年在半導(dǎo)體所工作期間，她作為課題負(fù)責(zé)人承擔(dān)了解放初期“12年科學(xué)規(guī)劃”中的“平面型高速開關(guān)晶體管的研究”，獨(dú)立自主地解決了提高開關(guān)速度的關(guān)鍵問題，開關(guān)速度達(dá)到當(dāng)時國際同類產(chǎn)品水平。該技術(shù)在中國科學(xué)院109廠和上海器件五廠進(jìn)行了推廣，打破了西方國家對我國的封鎖，為“兩彈一星”配套的“109丙”計算機(jī)提供了核心器件，產(chǎn)生了重大的經(jīng)濟(jì)和社會效益，獲全國新產(chǎn)品一等獎。她還成功研發(fā)介質(zhì)隔離數(shù)字集成電路與高阻抗運(yùn)算放大器模擬電路，有力支撐了我國國防工業(yè)的發(fā)展。上世紀(jì)70~80年代，她帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)成功研制MOS 4K位動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）；在國內(nèi)首次將正性膠光刻、干法刻蝕等先進(jìn)工藝用于大規(guī)模集成電路研制，獨(dú)創(chuàng)“露點(diǎn)法”檢測接觸孔質(zhì)量，開發(fā)雙層多晶硅與差值氧化工藝，大幅提升了大規(guī)模集成電路成品率；攻克16K、64K位DRAM技術(shù)，推動了我國存儲器技術(shù)迭代升級。
1986年，吳德馨同志調(diào)入中國科學(xué)院微電子中心任副主任、研究員，并于1991—1997年擔(dān)任該中心主任。她大膽改革、努力創(chuàng)新，積極探索新的科研和開發(fā)領(lǐng)域，領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)了0.8微米CMOS全套工藝，科研成果和產(chǎn)品開發(fā)等效益不斷增加，開創(chuàng)了微電子中心發(fā)展的新局面。離開領(lǐng)導(dǎo)崗位的吳德馨并未放松科學(xué)研究，她領(lǐng)導(dǎo)科研人員成功研制0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，在國內(nèi)首次成功研制出全功能砷化鎵/銦鎵磷HBT 10Gbps光纖通信光發(fā)射驅(qū)動電路。
任全國人大常委會委員期間，吳德馨同志認(rèn)真履行職能，積極建言獻(xiàn)策，多次向中央領(lǐng)導(dǎo)匯報微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢并提出建議，多次參加國家和中國科學(xué)院發(fā)展規(guī)劃的制定，多次主持執(zhí)筆兩院院士對國家集成電路發(fā)展咨詢報告的撰寫等工作，有力推動了我國半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展。
吳德馨同志將六十余載光陰全部奉獻(xiàn)給祖國的半導(dǎo)體與微電子事業(yè)，用一生詮釋了愛國奉獻(xiàn)、嚴(yán)謹(jǐn)求實(shí)的科學(xué)家精神。她的逝世是我國科技事業(yè)的重大損失。她的崇高品德、治學(xué)精神與卓越貢獻(xiàn)，將永遠(yuǎn)銘刻在我們心中。
吳德馨同志千古！
